We report a low Ith (/spl sim/1.5mA), high power (>5mW) and speed performance (10 Gb/s operation) single mode GaAs VCSEL employing O/sup +/ implantation, MOCVD regrowth and selective oxidation.


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    Titel :

    High performance large area single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers


    Beteiligte:
    Tao-Hung Hsueh, (Autor:in) / Hao-Chung Kuo, (Autor:in) / Fang-I Lai, (Autor:in) / Li-Hung Lai, (Autor:in) / Wang, S.C. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    01.01.2003


    Format / Umfang :

    81738 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    High performance large-area single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers

    Hsueh, T.-H. / Kuo, H.-C. / Lai, F.-I. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003


    Large spot size single mode Bragg waveguide vertical cavity surface emitting lasers

    Greally, M. G. / Masum, J. / Adams, M. J. et al. | British Library Conference Proceedings | 2000



    Proton implanted single mode holey vertical-cavity surface-emitting lasers

    Leisher, P.O. / Danner, A.J. / Raftery, J.J. et al. | IEEE | 2005


    High speed modulation of large-area single-transverse-mode vertical-cavity surface-emitting

    Tao-Hung Hsueh, / Hao-Chung Kuo, / Fang-I Lai, et al. | IEEE | 2003