We overview how the novel electronic structure of dilute nitride alloys modifies the gain characteristics of GaInNAs lasers. Optimised devices should have comparable or better characteristics than InP-based emitters, enabling GaAs-based 1.3 /spl mu/m vertical emitting lasers.


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    Titel :

    Novel electronic and optoelectronic properties of GaInNAs and related alloys


    Beteiligte:
    O'Reilly, E.P. (Autor:in) / Fahy, S. (Autor:in) / Lindsay, A. (Autor:in) / Tomic, S. (Autor:in) / Fehse, R. (Autor:in) / Adams, A.R. (Autor:in) / Sweeney, S.J. (Autor:in) / Andreev, A.D. (Autor:in) / Klar, P.J. (Autor:in) / Gruning, H. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    2003-01-01


    Format / Umfang :

    222541 byte



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    GaInNAs Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


    GaInNAs Laser Diode

    Kondow, M. / Kitatani, T. / Nakatsuka, S. et al. | IEEE | 1997


    GaInNAs quantum well VCSELs

    Steinle, G. / Ramakrishnan, A. / Supper, D. et al. | IEEE | 2002


    GaInNAs/GaAs long-wavelength lasers

    Kondow, Masahiko / Kitatani, Takeshi / Larson, Michael C. et al. | SPIE | 1998