Compensated silicon, carrier lifetime, boron-oxygen defect. - Kompensiertes Silicium, Ladungsträgerlebensdauer, Bor-Sauerstoff-Defekt
Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation
2012
Online-Ressource (131 S., 25,5 MB)
Langzeitarchivierung durch Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek
Hochschulschrift
Elektronische Ressource
Englisch , Deutsch
BKL: | 53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher |