Compensated silicon, carrier lifetime, boron-oxygen defect. - Kompensiertes Silicium, Ladungsträgerlebensdauer, Bor-Sauerstoff-Defekt


    Zugriff

    Download


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Boron-oxygen-related recombination centers in crystalline silicon and the effects of dopant-compensation


    Beteiligte:
    Lim, Bianca (Autor:in)

    Erscheinungsdatum :

    2012


    Format / Umfang :

    Online-Ressource (131 S., 25,5 MB)


    Anmerkungen:

    Langzeitarchivierung durch Technische Informationsbibliothek (TIB) / Leibniz-Informationszentrum Technik und Naturwissenschaften und Universitätsbibliothek


    Medientyp :

    Hochschulschrift


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch , Deutsch


    Schlagwörter :

    Klassifikation :

    BKL:    53.36 Energiedirektumwandler, elektrische Energiespeicher