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    Titel :

    Erratum to “The effect of the intense laser field on the electronic states and optical properties of n-type double δ-doped GaAs quantum wells” [Opt. Mater. 64 (2017) 82–87]


    Beteiligte:
    Kasapoglu, E. (Autor:in) / Yesilgul, U. (Autor:in) / Ungan, F. (Autor:in) / Sökmen, I. (Autor:in) / Sari, H. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2018


    Format / Umfang :

    140 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    535



    The effect of the intense laser field on the electronic states and optical properties of n-type double δ-doped GaAs quantum wells

    Kasapoglu, E. / Yesilgul, U. / Ungan, F. et al. | British Library Online Contents | 2017


    Photoluminescence of AlGaAs/GaAs asymmetric double quantum wells under intense mid-IR radiation [3795-86]

    Feng, J. M. / Hamaguchi, C. / Ohachi, T. et al. | British Library Conference Proceedings | 1999


    Optical Properties of GaAsSb/GaAs Quantum Wells

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2003


    Optical properties of GaAsSb/GaAs quantum wells

    Wang, J.-B. / Vaschenko, G. / Johnson, S.R. et al. | IEEE | 2003


    Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells

    Jiang, D.S. / Liang, X.G. / Chang, K. et al. | IEEE | 2002