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    Titel :

    GaN-Based LEDs With Air Voids Prepared by One-Step MOCVD Growth


    Beteiligte:
    Lin, N.M. (Autor:in) / Chang, S.J. (Autor:in) / Shei, S.C. (Autor:in) / Lai, W.C. (Autor:in) / Yang, Y.Y. (Autor:in) / Lin, W.C. (Autor:in) / Lo, H.C. (Autor:in)

    Erschienen in:

    JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY ; 29 , 18 ; 2831-2835


    Erscheinungsdatum :

    2011-01-01


    Format / Umfang :

    5 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    621.3692



    MOCVD growth and fabrication of group-Ill nitrides for high-efficiency MQW LEDs

    DenBaars, S.P. / Kozodoy, P. / Abare, A. et al. | IEEE | 1997


    Growth of InGaN Quantum Wells and InGaN/GaN Quantum Well LEDs by MOCVD

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    Growth of InGaN quantum wells and InGaN/GaN quantum well LEDs by MOCVD

    Keller, S. / Mishra, U.K. / DenBaars, S.P. | IEEE | 1996


    Advances in InAsSb-Based Mid-Infrared Lasers and LEDs, Grown by MOCVD

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


    Improved Output Power of GaN-based Blue LEDs by Forming Air Voids on Ar-Implanted Sapphire Substrate

    Sheu, J.-K. / Yeh, Y.-H. / Tu, S.-J. et al. | British Library Online Contents | 2013