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    Titel :

    Carrier Relaxation and Modulation Response of 1.3-μm InAs-GaAs Quantum Dot Lasers


    Beteiligte:
    Tong, C.Z. (Autor:in) / Xu, D.W. (Autor:in) / Yoon, S.F. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2009


    Format / Umfang :

    5442 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    621.3692



    Overcoming Gain Saturation in InAs/GaAs Quantum Dot Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996


    Overcoming gain saturation in InAs/GaAs quantum dot lasers

    Schmidt, O.G. / Kirstaedter, N. / Mao, M.-H. et al. | IEEE | 1996


    MOCVD Growth of InAs/GaAs Quantum Dots and Diode Lasers

    Lasers and Electro-optics Society (Institute of Electrical and Electronics Engineers) | British Library Conference Proceedings | 2004


    InAs Quantum Dot Lasers on GaAs Substrate with 12 Layers

    Shimizu, H. / Saravanan, S. | IEEE | 2005


    InAs Quantum Dot Lasers on GaAs Substrate with 12 Layers

    Shimizu, H. / Saravanan, S. | IEEE | 2005