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    Titel :

    Tensile-strained 1.3 μm InGaAs/InGaAlAs quantum well structure of high temperature characteristics


    Beteiligte:
    Bae, S. J. (Autor:in) / Lee, Y. T. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2008


    Format / Umfang :

    8 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Normal Incidence P-Type InGaAs/InGaAlAs Strained Quantum Well Infrared Photodetector

    Lee, C. / Zhou, W. / Choi, K. K. et al. | British Library Conference Proceedings | 1995




    Design of polarization independent InGaAs/InGaAlAs coupled quantum well structure in 1.55 mm wavelength region

    Bae, S. J. / Park, S. H. / Lee, Y. T. | British Library Online Contents | 2003


    Temperature characteristics of GaAsP/AlGaAs tensile strained quantum well lasers

    Tolliver, T.R. / Anderson, N.G. / Agahi, F. et al. | IEEE | 1996