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    Titel :

    Fabrication and Characteristics of High-Speed Oxide-Confined VCSELs Using InGaAsP-InGaP Strain-Compensated MQWs


    Beteiligte:
    Chang, Y.-H. (Autor:in) / Kuo, H. C. (Autor:in) / Lai, F.-I. (Autor:in) / Chang, Y.-A. (Autor:in) / Lu, C. Y. (Autor:in) / Laih, L. H. (Autor:in) / Wang, S. C. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    2004-01-01


    Format / Umfang :

    6 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    621.3692



    Growth and characterization of 850nm InGaAsP/InGaP strain-compensated VCSELs by MOCVD

    Kuo, H. C. / Lu, T. C. / Chang, Y. S. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003



    Fabrication issues of oxide-confined VCSELs [3003-11]

    Geib, K. M. / Choquette, K. D. / Hou, H. Q. et al. | British Library Conference Proceedings | 1997



    Reliability of oxide confined 850 nm VCSELs for high speed interconnection systems

    Sato, T. / Iwai, N. / Haga, Y. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003