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    Titel :

    Effect of Sintering Parameters on the Conductivity of Reaction-Formed Silicon Carbide


    Beteiligte:
    Lu, Z. (Autor:in) / Xiong, L. (Autor:in) / Huang, Q. et al (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.1998


    Format / Umfang :

    3 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Unbekannt


    Klassifikation :

    DDC:    500



    Pressureless sintering of silicon carbide

    Mizrah,T. / Hoffmann,M. / Gaukler,L. et al. | Kraftfahrwesen | 1986


    Power MOSFETs Formed In Silicon Carbide

    Palmour, John W. | NTRS | 1995



    Microstructure of silicon carbide after plasma sintering

    Kijima,K. / Kyoto Inst.of Technol.,JP | Kraftfahrwesen | 1991


    Hot isostatic pressing of silicon carbide with no sintering agents

    Hermansson,L. / Nystroem,L. / Adlerborn,J. et al. | Kraftfahrwesen | 1986