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    Titel :

    Power MOSFETS Formed in Silicon Carbide


    Erschienen in:

    NASA tech briefs ; 19 , 2 ; 30-35


    Erscheinungsdatum :

    1995



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    BKL:    50.00 Technik allgemein: Allgemeines / 50.00 / 55.60 Raumfahrttechnik / 55.60



    Power MOSFETs Formed In Silicon Carbide

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