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    Titel :

    Large area InAIAS/InGaAs metal semiconductor metal photodiode with very low dark current and its frequency response


    Beteiligte:
    Kim, J. B. (Autor:in) / Kim, M. J. (Autor:in) / Kim, S. J. (Autor:in) / Hwang, W.-Y. (Autor:in) / Miller, D. L. (Autor:in) / Das, M. B. (Autor:in) / Rios, J. M. M. (Autor:in) / Lunardi, L. M. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.1997


    Format / Umfang :

    8 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5



    Large-Area InAlAs/InGaAs Schottky Barrier Enhanced Metal Semiconductor Metal Photodiode with Low Dark Current

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1996



    On the Optimization of InGaAs-InAIAs Quantum-Well Structures for Electroabsorption Modulators

    Pires, M. P. / de Souza, P. L. / Yavich, B. et al. | British Library Online Contents | 2000


    Dark current reduction in fused InGaAs/Si avalanche photodiode

    Kang, Y. / Mages, P. / Pauchard, A. et al. | IEEE | 2001


    ThN4 Dark Current Reduction in Fused InGaAs/Si Avalanche Photodiode

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2001