Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Ultrafast characterization of in-plane-gate field-effect transistors: parasitics in laterally gated transistors


    Beteiligte:
    Ogawa, K. (Autor:in) / Allam, J. (Autor:in) / De B. Baynes, N. (Autor:in) / Cleaver, J. R. A. (Autor:in) / Mishima, T. (Autor:in) / Ohbu, I. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1996-01-01


    Format / Umfang :

    12 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5




    Superconducting Field-Effect Transistors

    Bhasin, Kul / Romanofsky, Robert R. / Tabib-Azar, Massood | NTRS | 1995




    Damascence-Gate Thin Film Transistors with Ultra-Thin Gate Dielectrics

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1998