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    Titel :

    Damascence-Gate Thin Film Transistors with Ultra-Thin Gate Dielectrics



    Kongress:

    Annual meeting; 11th, IEEE: Lasers and Electro-Optics Society; LEOS '98 ; 1998 ; Orlando; FL



    Erscheinungsdatum :

    1998-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no: 98CH36243




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Single event gate rupture in thin gate oxides

    Sexton, F.W. / Fleetwood, D.M. / Shaneyfelt, M.R. et al. | Tema Archiv | 1997



    Organic Thin Film Transistors

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


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    Rutkowski, J. / Wenus, J. / Gawron, W. et al. | British Library Conference Proceedings | 1999