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    Titel :

    Total Dose, Displacement Damage and Single Event Effects in the Radiation Hardened CMOS APS HAS2 (AAS 10-022)



    Kongress:

    33rd, Rocky Mountain Guidance and Control Conference ; 2010 ; Breckenridge, CO



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2010


    Format / Umfang :

    14 pages


    Anmerkungen:

    Includes bibliographical references and indexes. Proceedings of the 33rd Annual AAS Rocky Mountain Guidance and Control Conference.



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    A radiation-hardened bulk CMOS technology

    DAWES, JR., W. / HABING, D. | AIAA | 1979


    Effects Of Dose Rates On Radiation Damage In CMOS Parts

    Goben, Charles A. / Coss, James R. / Price, William E. | NTRS | 1990


    Total ionizing dose and displacement damage effects on TaOx memristive memories

    Hughart, D. R. / Dalton, S. M. / Mickel, P. R. et al. | IEEE | 2013



    Radiation-hardened CMOS/SOS chips ideal for space

    Handen, J. / Veloric, H. | Tema Archiv | 1983