Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Er-doped Wet Thermal Oxides of InAlP on GaAs for Optoelectronics Integration



    Kongress:

    18th:; ANNUAL MEETING, Lasers and Electro-Optics Society; IEEE LEOS ; 2005 ; Sydney, Australia



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2005


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no: 05CH37693




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Schlagwörter :



    Improvement of Luminescence Properties of InGaP/InAlP QW Heterostructures with Oxidized InAlP Cladding Layers Grown by MOCVD

    IEEE / Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1995



    Short-Period Superlattice InAlP-InGaP Quantum-Well Heterostructures

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1994


    Trends in silica-based optoelectronics hybrid integration

    Artigue, C. | British Library Conference Proceedings | 1996