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    Titel :

    Properties of Radiative Recombination in GaAsN Epilayers


    Beteiligte:
    Sun, B. Q. (Autor:in) / Gal, M. (Autor:in) / Gao, Q. (Autor:in) / Tan, H. H. (Autor:in) / Jagadish, C. (Autor:in) / Gal, M. / IEEE

    Kongress:

    Conference, Optoelectronic and microelectronic materials and devices; COMMAD 2002 ; 2002 ; Sydney, Australia



    Erscheinungsdatum :

    2002-01-01


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 02EX601




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Properties of radiative recombination in GaAsN epilayers

    Sun, B.Q. / Gal, M. / Gao, Q. et al. | IEEE | 2002


    Growth and Characterization of GaAsN Bulk Layer and (In)GaAsN Quantum-Well Structures

    Gao, Q. / Tan, H. H. / Jagadish, C. et al. | British Library Conference Proceedings | 2002



    Optical properties of type-II InGaN/GaAsN/GaN quantum wells

    Park, S. H. / Lee, Y. T. / Park, J. | British Library Online Contents | 2009


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