Zugriff

    Zugriff über TIB

    Verfügbarkeit in meiner Bibliothek prüfen

    Bestellung bei Subito €


    Exportieren, teilen und zitieren



    Titel :

    Growth and Characterization of GaAsN Bulk Layer and (In)GaAsN Quantum-Well Structures


    Beteiligte:
    Gao, Q. (Autor:in) / Tan, H. H. (Autor:in) / Jagadish, C. (Autor:in) / Sun, B. Q. (Autor:in) / Gal, M. (Autor:in) / Ouyang, L. (Autor:in) / Zou, J. (Autor:in) / Gal, M. / IEEE

    Kongress:

    Conference, Optoelectronic and microelectronic materials and devices; COMMAD 2002 ; 2002 ; Sydney, Australia



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 02EX601




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Intersubband Absorption in GaInNAs/GaAsN Quantum Wells

    Fan, W. J. / Sun, L. / Yoon, S. F. et al. | British Library Conference Proceedings | 2002


    Intersubband absorption in GaInNAs/GaAsN quantum wells

    Fan, W.J. / Sun, L. / Yoon, S.F. et al. | IEEE | 2002


    GaAsSb-(In)GaAsN Type-II Quantum-Well Lasers on GaAs Substrate

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2003


    GaAsSb-(In)GaAsN type-II quantum-well lasers on GaAs substrate

    Tansu, N. / Mawst, L.J. / Vurgaftman, I. et al. | IEEE | 2003