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    Titel :

    On the InP/InGaAs Double Heterojunction Bipolar Transistor (DHBT) with Emitter Tunneling Barrier and Composite Collector Structure


    Beteiligte:
    Chen, J. Y. (Autor:in) / Lin, K. W. (Autor:in) / Chen, C. Y. (Autor:in) / Chuang, H. M. (Autor:in) / Kao, C. I. (Autor:in) / Liu, W. C. (Autor:in) / Gal, M. / IEEE

    Kongress:

    Conference, Optoelectronic and microelectronic materials and devices; COMMAD 2002 ; 2002 ; Sydney, Australia



    Erscheinungsdatum :

    2002-01-01


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 02EX601




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    A new InGap/AlGaAs/GaAs composite-emitter heterojunction bipolar transistors

    Tsai, M.K. / Wu, Y.W. / Tan, S.W. et al. | IEEE | 2002


    A new InGaP/AlGaAs/GaAs Composite-Emitter Heterojunction Bipolar Transistors

    Tsai, M. K. / Wu, Y. W. / Tan, S. W. et al. | British Library Conference Proceedings | 2002


    Der ESBT - Emitter Switched Bipolar Transistor

    British Library Online Contents | 2010