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    Titel :

    Minority Carrier Behaviour in Abrupt MBE Grown HgCdTe Heterostructures


    Beteiligte:
    Sewell, R. (Autor:in) / Dell, J. M. (Autor:in) / Musca, C. A. (Autor:in) / Faraone, L. (Autor:in) / Prince, K. (Autor:in) / Gal, M. / IEEE

    Kongress:

    Conference, Optoelectronic and microelectronic materials and devices; COMMAD 2002 ; 2002 ; Sydney, Australia



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 02EX601




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Minority carrier behaviour in abrupt MBE grown HgCdTe heterostructures

    Sewell, R. / Dell, J.M. / Musca, C.A. et al. | IEEE | 2002


    Minority carrier lifetime in abrupt MBE-grown HgCdTe heterostructures [4795-37]

    Sewell, R. / Dell, J. M. / Musca, C. A. et al. | British Library Conference Proceedings | 2002


    MBE growth of HgCdTe HOT detector heterostructures [4795-16]

    Zhao, J. / Zhou, Y. D. / Badano, G. et al. | British Library Conference Proceedings | 2002


    Improving MOS minority-carrier lifetime

    Cockrum, R. H. / Li, S. P. / Prussin, S. | NTRS | 1981


    Hybrid 256x256 LWIR FPA using MBE-grown HgCdTe on GaAs [2552-41]

    Kawahara, A. / Ajisawa, A. / Miyamoto, K. et al. | British Library Conference Proceedings | 1995