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    Titel :

    Minority Carrier Lifetime Measurement in GaN by a Differential Phase Technique


    Beteiligte:
    Tan, W. (Autor:in) / Spaargaren, S. M. R. (Autor:in) / Parish, G. (Autor:in) / Nener, B. D. (Autor:in) / Mishra, U. K. (Autor:in) / Gal, M. / IEEE

    Kongress:

    Conference, Optoelectronic and microelectronic materials and devices; COMMAD 2002 ; 2002 ; Sydney, Australia



    Erscheinungsdatum :

    01.01.2002


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 02EX601




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Minority carrier lifetime measurement in GaN by a differential phase technique

    Tan, W. / Spaargaren, S.M.R. / Parish, G. et al. | IEEE | 2002


    Improving MOS minority-carrier lifetime

    Cockrum, R. H. / Li, S. P. / Prussin, S. | NTRS | 1981


    Measurement of Minority Carrier Lifetime in Hg1-xCdxTe Photodetector

    Cui, H. Y. / Li, Z. F. / Xu, X. Y. et al. | IEEE | 2006



    Measurement of minority carrier lifetime in infrared photovoltaic detectors using parallel circuit method

    Cui, H. / Wang, C. / Wang, J. et al. | British Library Online Contents | 2015