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    Titel :

    ThZ3 New Buried Heterostructure using MOVPE Selective Regrowth of Semi-Insulating (Si-) InAlAs for Low Capacitance Optical Sources


    Beteiligte:

    Kongress:

    Annual meeting; 14th, IEEE; Lasers and Electro-Optics Society ; 2001 ; San Diego, CA



    Erscheinungsdatum :

    2001-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 01CH37242




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    GaAs/AlGaAs buried-heterostructure laser diodes with semi-insulating GaInP:Fe regrowth

    Angulo Barrios, C. / Lourdudoss, S. / Messmer, L.R. et al. | IEEE | 2001


    GaAs/AlGaAs Buried -Heterostructure Laser Diodes with Semi-Insulating GaInP:Fe Regrowth

    Barrios, C. A. / Lourdudoss, S. / Messmer, E. R. et al. | British Library Conference Proceedings | 2001


    Novel Regrowth Technique for Semi-Insulating Buried Crescent Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    Reliability and Degradation Behaviors of Semi-Insulating Fe-Doped InP Buried Heterostructure Lasers Fabricated by RIE and MOVPE

    Mawatari, H. / Fukuda, M. / Matsumoto, S. et al. | British Library Online Contents | 1997