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    Titel :

    Reliability of 0.98-1.02 mum InGaAs Laser Diodes ∼ Improvement by Low Temperature Growth of Active Laser ∼


    Beteiligte:

    Kongress:

    Annual meeting; 12th, IEEE; Lasers and Electro-Optics Society; LEOS '99 ; 1999 ; San Francisco, CA



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1999


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no 99CH37009




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    0.98 m Wavelength InGaAs/GaAs/AlGaAs Strained Quantum-Well Laser Diodes with High Reliability

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997


    Reliability of carbon doped MOCVD grown InGaAs/AlGaAs high power laser diodes

    Bulaev, P.V. / Marmalyuk, A.A. / Padalitsa, A.A. et al. | IEEE | 2003


    Reliability of Carbon Doped MOCVD Grown InGaAs/AlGaAs High Power Laser Diodes

    Bulaev, P. V. / Marmalyuk, A. A. / Padalitsa, A. A. et al. | British Library Conference Proceedings | 2003


    Direct Imaging of 0.81 m and 0.98m Tapered and Broad Stripe Semiconductor Laser Diodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997