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    Titel :

    Wafer-Bonded Bottom-Emitting 850 nm VCSELs on GaP Substrates



    Kongress:

    Annual meeting; 11th, IEEE: Lasers and Electro-Optics Society; LEOS '98 ; 1998 ; Orlando; FL



    Erscheinungsdatum :

    1998-01-01


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    IEEE cat no: 98CH36243




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    Bottom-Emitting 850 nm Selectively Oxidized VCSELs Fabricated using Wafer Bonding

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1997



    Reliability of direct mesa flip-chip bonded VCSELs

    Teitelbaum, M. / Goossen, K.W. | IEEE | 2004


    Threshold characteristics of bottom-emitting long wavelength VCSELs with photonic-crystal within the top mirror

    Czyszanowski, T. / Sarzała, R. / Dems, M. et al. | British Library Online Contents | 2008


    Wafer-bonded InGaAlP/AuBe/glass light-emitting diodes

    Horng, R.H. / Wuu, D.S. / Tseng, H.W. et al. | IEEE | 1999