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    Titel :

    Characterization of Arsenic-ion-implanted GaAS by Optically Excited Terahertz Radiation



    Kongress:

    Annual meeting; 10th, IEEE: Lasers and Electro-Optics Society ; 1997 ; San Francisco; CA



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1997


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    Described as proceedings. IEEE cat no: 97CH36057




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Detection of sub-terahertz radiation using proton implanted GaAs

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 1999



    Investigations of GaAs Implanted with Low-dosage Arsenic Ions as Ultrafast Photoconductors

    Lin, G.-R. / Pan, C.-L. / Optical Society of America | British Library Conference Proceedings | 1997


    Coherent terahertz radiation from optically pre-bunched electron beams

    Fiorito, R.B. / Neumann, J. / Freund, H.P. et al. | IEEE | 2004