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    Titel :

    Investigations of GaAs Implanted with Low-dosage Arsenic Ions as Ultrafast Photoconductors



    Kongress:

    Topical meeting, Ultrafast electronics and optoelectronics ; 1997 ; Incline Village; NV



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1997


    Format / Umfang :

    3 pages




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





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