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    Titel :

    Ultrafast furnace-annealed arsenic-ion-implanted GaAs photoconductors


    Beteiligte:
    Gong-Ru Lin, (Autor:in) / Ci-Ling Pan, (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1997-01-01


    Format / Umfang :

    166477 byte




    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Elektronische Ressource


    Sprache :

    Englisch



    Investigations of GaAs Implanted with Low-dosage Arsenic Ions as Ultrafast Photoconductors

    Lin, G.-R. / Pan, C.-L. / Optical Society of America | British Library Conference Proceedings | 1997


    Ultrafast response of multi-energy proton-bombarded GaAs photoconductors

    Lin, G.-R. / Pan, C.-L. | British Library Online Contents | 2000



    TuO2 Photonic Analog-to-Digital Converter using Ultrafast Photoconductors

    IEEE | British Library Conference Proceedings | 2001


    Characterization of High Purity GaAs Far-Infrared Photoconductors

    Farhoomand, J. / McMurray, R. E. / Haller, E. et al. | British Library Online Contents | 1995