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    Titel :

    High Power, Coherent InGaAsP/InP Semiconductor Laser Design Operating at 1.55 Microns (Invited)


    Beteiligte:

    Kongress:

    International conference; 4th, Millimeter wave and far infrared science and technology ; 1996 ; Beijing



    Erscheinungsdatum :

    1996-01-01


    Format / Umfang :

    4 pages


    Anmerkungen:

    Also known as ICMWFST '96; IEEE cat no 96TH6221



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




    High-power, narrow-beam, antiguided 1.55-/spl um/m InGaAsP/InP diode laser arrays

    Bhattacharya, A. / Mawst, L.J. / Botez, D. | IEEE | 1997



    A surface-normal coupled-quantum-well modulator at 1.55 microns

    Stievater, T.H. / Rabinovich, W.S. / Goetz, P.G. et al. | IEEE | 2004


    Modulation-doped InGaAsP QW laser emitting at 1.55 mum [4042-18]

    Choudhuri, N. / Dutta, N. K. / Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers | British Library Conference Proceedings | 2000


    `On-wafer' surface implanted high power, picosecond pulse InGaAsP/InP (Lambda = 1.53-1.55 mum) laser diodes

    Paraskevopoulos, A. / Hensel, H.-J. / Schelhase, S. et al. | British Library Online Contents | 2001