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    Titel :

    `On-wafer' surface implanted high power, picosecond pulse InGaAsP/InP (Lambda = 1.53-1.55 mum) laser diodes


    Beteiligte:
    Paraskevopoulos, A. (Autor:in) / Hensel, H.-J. (Autor:in) / Schelhase, S. (Autor:in) / Frahm, J. (Autor:in) / Kubler, J. (Autor:in) / Denker, A. (Autor:in) / Gubenko, A. (Autor:in) / Portnoi, E. L. (Autor:in)

    Erschienen in:

    Erscheinungsdatum :

    01.01.2001


    Format / Umfang :

    6 pages



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch


    Klassifikation :

    DDC:    537.5




    High-Power Al-Free Buried InGaAsP/GaAs (lambda =0.8 m) Laser Diodes

    Garbuzov, D. Z. / Antonishkis, N. Y. / Il'Inskaya, N. D. et al. | British Library Conference Proceedings | 1992


    High-Speed 1.55 m InGaAs/InGaAsP Multi-Quantum Well lambda/4-Shifted DFB Lasers

    Uomi, K. / Aoki, M. / Tsuchiya, T. et al. | British Library Online Contents | 1994


    High Power InGaAsP-based Laser Diodes

    Razeghi, M. | British Library Online Contents | 1995


    High-power Al-free buried InGaAsP/GaAs (/spl lambda/ = 0.8/spl mu/m) Laser Diodes

    Garbuzov, D.Z. / Antonishkis, N.Y. / Il'inskaya, N.D. et al. | IEEE | 1992