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    Titel :

    Remarkable Improvement in the Temperature Characteristics of GaAs Lasers Using an InGaAlP Cladding Layer


    Beteiligte:
    Itaya, K. (Autor:in) / Hatakoshi, G. (Autor:in) / Nishikawa, Y. (Autor:in) / Okajima, M. (Autor:in) / IEEE

    Kongress:

    13th, International semiconductor laser conference ; 1992 ; Takamatsu; Japan



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1992


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    Described as the conference digest



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    InGaAlP Visible Semiconductor Lasers

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    Wafer-bonded InGaAlP/AuBe/glass light-emitting diodes

    Horng, R.H. / Wuu, D.S. / Tseng, H.W. et al. | IEEE | 1999


    Short Wavelength Oscillation of InGaAlP Visible Light Laser Diodes

    IEEE; Lasers and Electro-Optics Society | British Library Conference Proceedings | 1993


    High-Temperature Operation and Thermal Analysis of InGaAlP-Based Oxide-Confined Red VCSELs

    Institute of Electrical and Electronics Engineers | British Library Conference Proceedings | 2002