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    Titel :

    Analysis of Carrier Capture and Escape in InGaAsP/InP Quantum Well Lasers



    Kongress:

    International conference; 15th, Semiconductor laser ; 1996 ; Haifa; Israel



    Erscheinungsdatum :

    01.01.1996


    Format / Umfang :

    2 pages


    Anmerkungen:

    Also known as ISLC '96. IEEE cat no 96CH35896 and 96CB35896



    Medientyp :

    Aufsatz (Konferenz)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch





    Characteristic analysis of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers

    Ma, C. / Han, C. / Liu, S. | British Library Online Contents | 1997


    Optimization of 1 3 m InGaAsP compressively strained quantum-well lasers

    Pacey, C. / Silver, M. / Adams, A. R. et al. | British Library Online Contents | 1997


    The "Gain-Lever" Effect in InGaAsP/InP Multiple Quantum Well Lasers

    Seltzer, C. P. / Westbrook, L. D. / Wickes, H. J. | British Library Online Contents | 1995


    Carrier escape time in GaAs/AlGaAs and InGaAs/GaAs quantum well lasers [2684-07]

    Esquivias, I. / Romero, B. / Weisser, S. et al. | British Library Conference Proceedings | 1996