Die Versetzungsstrukturen und ebenen Gitterfehler in zwischen 900 und 1500C verformten MoSi2 Einkristallen wurden im Transmissionselektronenmikroskop untersucht. Reine Stapelfehler wurden in den bei 900C verformten Kristallen gefunden. Die Bildung der Stapelfehler haengt eng mit der Phasenstabilitaet der Ordnungsstrukturen C11b und C40 zusammen. Das vermehrte Auftreten von Stapelfehlern bei steigender Verformungstemperatur begleitet die Zunahme der Duktilitaet des MoSi2 oberhalb 1200C. Die kritische Scherspannung fuer die (110)(3-31) und (013)(3-31) Gleitung wurde zwischen 1000 und 1500C bestimmt. Sie ist fuer die (013) Ebenen zwei- bis fuenfmal hoeher als fuer die (110) Ebenen.
Planar faults in MoSi2 single crystals deformed at high temperatures
Ebene Gitterfehler in bei hohen Temperaturen verformten MoSi2 Einkristallen
Philosophical Magazine Letters ; 59 , 4
1989
6 Seiten, 3 Bilder
Article (Journal)
English
MoSi2–Si3N4 absorber for high temperature solar selective coating
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High temperature oxidation of ZrC–20%MoSi2 in air for future solar receivers
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