Eine wichtige Größe bei der EMV-gerechten Gerätekonstruktion bzw. Geräteoptimierung sind die integrierten Schaltkreise (ICs) mit ihren EMV- Eigenschaften. ICs gilt es frühzeitig und richtig auszuwählen und später auch ihren Möglichkeiten entsprechend einzusetzen. Der Vortrag beschreibt ein neues, sich in der internationalen Normung befindliches Meßverfahren, das der Bewertung der leitungsgebundenen Elektromagnetischen Emission (EME) von ICs dient. Die von Fachleuten aus der Automobil- und Halbleiterindustrie entwickelte Methode soll es zukünftig ermöglichen, ICs hinsichtlich ihrer EME zu klassifizieren und zielgerechter zu optimieren. Die Störaussendung des ICs wirkt in der Form, daß die internen Störsignale maßgeblich über die Anschlüsse des ICs an die Umgebung abgegeben werden. Die Störung breitet sich dann besonders über Schleifenstrukturen auf der Leiterplatte und über angeschlossene Leitungen aus. Die Leiterschleifen werden i.d.R. über die Massesysteme auf der Leiterplatte geschlossen, d.h. dieser Anteil der Störenergie (Störstrom) fließt über die Masseanschlüsse zum IC zurück und kann damit über die Erfassung des Massestroms bestimmt werden. In den einzelnen Applikationen werden die ICs häufig in unterschiedlichen Konfigurationen betrieben. Ein Mikroprozessor wird in einem Fall mit mehreren angeschlossenen Bussystemen und im anderen Fall mit einigen wenigen externen Leitungen verbunden, die aber direkt zur Peripherie der elektronischen Komponenten führen. Es ist deshalb notwendig, neben dem Summenstrom im Massesystem, auch die Störaussendung der einzelnen Ein/Ausgänge der ICs zu beurteilen. Dies kann durch eine geeignete Spannungsmessung an den einzelnen IC-Anschlüssen erfolgen. Nach der Beschreibung der Meßphilosophie werden im Beitrag folgende Themen aufgezeigt: 1. Gesamtbeurteilung des ICs bis 1 GHz durch summarische HF-Strommessung in der IC-Masseleitung. 2. Einzelbeurteilung von IC-Pins durch HF-Spannungsmessung an Ein-/Ausgängen. 3. Meßaufbau am Beispiel Mikroprozessor. 4. Emissionspegel und Bewertungsschema. 5. Messung der gestrahlten EME von ICs in den USA unter Verwendung der TEM-Zelle als Meßmittel (SAE-Standard). 6. Vergleich der Meßverfahren. 7. IC-EMV-Messungen - normativer Ausblick.


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    Title :

    Prüfverfahren für Halbleiterschaltungen zur EMV-gerechten Auswahl von integrierten Schaltkreisen (ICs)


    Contributors:


    Publication date :

    1997


    Size :

    12 Seiten, 9 Bilder, 2 Tabellen




    Type of media :

    Conference paper


    Type of material :

    Print


    Language :

    German