Die Entwicklung der S-FET-Leistungs-MOSFETs (SIPMOS, 55 V) wird dargestellt. Bei den behandelten S-FET-Leistungstransistoren BUZ 104S und BUZ 111S konnten durch die Spacer-Technologie die Kurzschlußfestigkeit, die Kommutierungsfestigkeit und die Robustheit gegenüber einem Avalanche-Durchbruch verbessert und der Einschaltwiderstand verringert werden. Hierdurch kann bei Schaltungsanwendungen in der Automobilelektronik auf bisher notwendige Schutzschaltungen verzichtet werden. Die Betriebseigenschaften dieser S-FET sind im Vergleich mit Konkurrenzprodukten erläutert. Als Anwendungsbeispiele sind die Steuerung einer KfZ-Kraftstoffpumpe (Schaltstrom 15 A), ein Sperrwandler mit 100 kHz Schaltfrequenz und einem Spitzenschalterstrom von 5 A sowie ein mit 330 kHz getaktetes ABS-Ventil ohne Freilaufdiode dargestellt. Für den BUZ 104S sind eine Temperaturberechnung und die thermische Impulsantwort des Bauelementes aufgeführt.
Robuster Leistungs-MOSFET. Ein Meilenstein zur vereinfachten Schaltungstechnik
Elektronik, München ; 46 , 24 ; 114-120
1997
7 Seiten, 9 Bilder
Article (Journal)
German
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