Im Hinblick auf die Anwendung in einem 720-kVA-Antriebsstromrichter von SIEMENS für Nahverkehrsfahrzeuge werden die physikalischen Grundlagen des IGBT (Insulated Gate Turn Off Transistor) ausführlich dargestellt. Dabei wird eingegangen auf Aufbau und Wirkungsweise des IGBT, auf die Ansteuerung und das Schaltverhalten, auf die Gehäusetechnik und auf das Kurzschlußverhalten. Die Unterschiede zwischen npt-IGBT (npt, non punch through) und pt-IGBT (pt, punch through) werden erläutert und es wird begründet, warum SIEMENS in seinen Antriebs-Stromrichtern npt-IGBTs einsetzt. Zusammenfassend werden aus der Sicht der Bahntechnik die Vorteile des IGBT für den mittleren Leistungsbereich von 400 kVA bis 720 kVA gegenüber dem GTO (Gate Turn Off thyristor) hervorgehoben, weil er billiger ist, keine zusätzliche Beschaltung benötigt und höhere Schaltfrequenzen erlaubt. In einem Anhang wird eine Behauptung aus dem Hauptteil, nämlich daß der Spannungsabfall in der Driftregion bei einem bipolaren Halbleiter kleiner als bei einem Majoritätsträger-Bauelement ist, quantitativ erhärtet.


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    Title :

    Grundlagen, Aufbau und Wirkungsweise des IGB-Transistors und seine Anwendung in der Bahntechnik


    Additional title:

    Basic features, construction and physical properties of IGB-transistors and their application in railroad transportation systems


    Contributors:

    Published in:

    Publication date :

    1996


    Size :

    10 Seiten, 9 Bilder, 13 Quellen



    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    German







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