Die Technologie, Herstellung, Eigenschaften und Vorteile sowie die Anwendungsgebiete von Trench-MOSFETs, Leistungs-MOSFETs mit geringem Durchlaßwiderstand werden erörtert. Die Trench-MOS-Technologie, die hexagonale Zellenstruktur mit vertikalem Graben (Trench) und vertikalem Stromfluß, die drastische Verringerung des spezifischen Chipwiderstands und deutliche Reduzierung des Durchlaßwiderstands und der Verlustwärme durch den Trench-MOS-Prozeß, die realisierten Eigenschaften der Trench-MOS-Transistorzelle Grabenbreite bei 1 mm, Zellpitch bei 11 mm und Zelldichte bei 6,2 Millionen pro Quadratzoll und der Einsatz des Plasmaätzens für die Herstellung der Trench-MOSFETs werden erläutert. Die Vorteile des geringen Durchlaßwiderstands der Trench-MOSFETs, Einsetzbarkeit bei höheren Umgebungstemperaturen, Verlustwärmeabfuhr mit kleinerer Kühlfläche und Möglichkeit der Herstellung oberflächenmontierter Trench-MOSFETs sowie Anwendungsgebiete für die Trench-MOSFETs, insbesondere der Automobilbau aber auch Haushalt und Industrie-Automatisierung werden angeführt. (zweisprachisches Dokument: englisch/deutsch)


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    Title :

    Low on-resistance with Trench MOS


    Additional title:

    Geringer Durchlaßwiderstand mit Trench MOS


    Contributors:
    Humphreys, J. (author) / Price, A. (author)


    Publication date :

    1996


    Size :

    4 Seiten, 4 Bilder



    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    English




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