Die Technologie, Herstellung, Eigenschaften und Vorteile sowie die Anwendungsgebiete von Trench-MOSFETs, Leistungs-MOSFETs mit geringem Durchlaßwiderstand werden erörtert. Die Trench-MOS-Technologie, die hexagonale Zellenstruktur mit vertikalem Graben (Trench) und vertikalem Stromfluß, die drastische Verringerung des spezifischen Chipwiderstands und deutliche Reduzierung des Durchlaßwiderstands und der Verlustwärme durch den Trench-MOS-Prozeß, die realisierten Eigenschaften der Trench-MOS-Transistorzelle Grabenbreite bei 1 mm, Zellpitch bei 11 mm und Zelldichte bei 6,2 Millionen pro Quadratzoll und der Einsatz des Plasmaätzens für die Herstellung der Trench-MOSFETs werden erläutert. Die Vorteile des geringen Durchlaßwiderstands der Trench-MOSFETs, Einsetzbarkeit bei höheren Umgebungstemperaturen, Verlustwärmeabfuhr mit kleinerer Kühlfläche und Möglichkeit der Herstellung oberflächenmontierter Trench-MOSFETs sowie Anwendungsgebiete für die Trench-MOSFETs, insbesondere der Automobilbau aber auch Haushalt und Industrie-Automatisierung werden angeführt. (zweisprachisches Dokument: englisch/deutsch)


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    Titel :

    Low on-resistance with Trench MOS


    Weitere Titelangaben:

    Geringer Durchlaßwiderstand mit Trench MOS


    Beteiligte:
    Humphreys, J. (Autor:in) / Price, A. (Autor:in)


    Erscheinungsdatum :

    1996


    Format / Umfang :

    4 Seiten, 4 Bilder



    Medientyp :

    Aufsatz (Zeitschrift)


    Format :

    Print


    Sprache :

    Englisch




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