Ausgehend von einem Überblick über die Einflüsse von Einzelereignissen in integrierten Schaltungen und des Linear-Energietransfers (LET) als Maß für die Energie in der Spur eines Ions pro Weglänge, wird durch Tests die Weltraum-Umgebung simuliert, um eine Charakterisierung von Einzelkomponenten zu erhalten. Zu den Testmethoden gehören: Teilchenbeschleuniger für schwere Ionen und Protonen, Impulslaser-Methode und fokussierter Ionenstrahl, experimentelle Bestimmung der Empfindlichkeitskruve. GaAs-Bauelemente erweisen sich als sehr empfindlich gegenüber schweren Ionen, während bei optischen Fasern transiente Zustände vorherrschen. Bei n-Kanal-Leistungs-MOSFETs tritt ein Burnout durch ein Einzelereignis ein, das auf ein Einschalten des parasitären Bipolartransistors zurückzuführen ist.
Recent trends in single-event effect ground testing
Neuere Trends in Boden-Testen von Einzelereigniseffekten
IEEE Transactions on Nuclear Science ; 43 , 2 Part I ; 671-677
1996
7 Seiten, 6 Bilder, 49 Quellen
Article (Journal)
English
digitale integrierte Schaltung , analoge integrierte Schaltung , Strahlungsbelastung , Strahlungsfestigkeit , schweres Ion , ionisierende Strahlung , kosmische Strahlung , Teilchenbeschleuniger , Impulslaser , Ionenstrahl , Fokussierung , Galliumarsenid , optische Faser , Fiberoptik , n-Kanal-FET , MOS-FET , Leistungstransformator , Bipolartransistor , Fehlerwahrscheinlichkeit , Ausfallwahrscheinlichkeit
Single-event effect ground test issues
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