Es wird ein Vertikal-Leistungs-MOSFET vorgestellt, der sich besonders im Spannungsbereich unter 100 V oder bei Frequenzen über 100 kHz auszeichnet. Das hauptsächliche Leistungsmerkmal ist der auf die Flächeneinheit bezogene spezifische Einschaltwiderstand. Die gegenwärtig kommerziell angebotenen Vertikal-Leistungs-MOSFETs sind planare DMOSFETs (MOSFETs mit einem doppelt-diffundierten Kanalprofil). Das bestehende Durchpruchsproblem wird kurz beschrieben und ein vertikaler Leistungs-MOSFET zur Überwindung dieses Problems vorgestellt: ein Leistungs-MOSFET mit integriertem Graben-Gate (die Leistungsmerkmale eines Graben-MOSFETs mit N-Kanal, die Technologie der P-Kanal-DMOS-FETs in Grabentechnik und Graben-MOSFETs für die Oberflächenmontage). Elf Abbildungen zeigen: den Querschnitt durch einen planaren Vertikal-DMOSFET; ein Kurvendiagramm des Technologiefortschritts der Vertikal-Leistungs-MOSFETs von 1980 bis 2000 hinsichtlich des spezifischen Einschaltwiderstandes und der Zelldichte; den spezifischen Einschaltwiderstand in Abhängigkeit zur Packungsdichte; den Querschnitt durch einen Leistungs-DMOSFET mit Grabenstruktur; die Kennlinienschar ID-VDS für einen Graben-MOSFET mit 8 Milliohm für 60 V; einen USV-Umrichter mit Gate-Ansteuerung über Transformatoren; die umkehrbare Ansteuerung für einen Gleichstrommotor mit komplementären MOSFETs; ein Balkendiagramm mit den Technologiefortschritten im typischen Einschaltwiderstand von Graben-MOSFETs mit P-Kanal; die Kennlinienschar ID-VDS für einen Graben-MOSFET mit P-Kanal; die Kennlinien für Leistungs-MOSFETs in Grabentechnik für SMT (Surface Mounting Technology); einen redundanten Schalter mit Komplementär-MOSFETs zur Auslösung von Airbags (mit Hauptzünder und Reservezünder).


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