Es wird von der Entwicklung eines rauscharmen monolithischen W-Band-Verstärkers mit planparallelem Wellenleiter berichtet, der einen pseudomorphen AlGaAs/InGaAs/GaAs-HEMT verwendet. Der Verstärker weist bei einer Verstärkung von 12 dB zwischen 92 und 96 GHz eine Rauschzahl von 4,2 - 4,8 dB auf. Die Schaltung wurde mit einem W-Band-Rauschzahl-Meßsystem auf dem Wafer getestet. Die ermutigenden Ergebnisse weisen auf eine vielversprechende Zukunft für den Einsatz dieser Wellenleiterstrukturen in MMICs.


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    Title :

    W-band monolithic pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT CBCPW LNA


    Additional title:

    Rauscharmer monolithischer W-Band-CBCPw-Verstärker mit pseudomorphem AlGaAs/InGaAs/GaAs-HEMT


    Contributors:
    Ton, T.N. (author) / Wang, H. (author) / Chen, S. (author) / Tan, K.L. (author) / Dow, G.S. (author) / Allen, B.R. (author) / Berenz, J. (author)

    Published in:

    Electronics Letters ; 29 , 20 ; 1804-1805


    Publication date :

    1993


    Size :

    2 Seiten, 2 Bilder, 8 Quellen




    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    English




    Quasi-monolithic Ka-band VCOs using pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs

    Wang Maosen / Niu Lirong / Yu Shuyong et al. | IEEE | 1996


    Quasi-Monolithic Ka-Band VCOs Using Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs

    Wang, M. et al | British Library Conference Proceedings | 1996


    A family of InGaAs/AlGaAs V-band monolithic HEMT LNAs

    Aust, M. / Yonaki, J. / Nakano, K. et al. | Tema Archive | 1989


    Optical and Transport Properties of -Doped Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs Structures

    Shen, W. Z. / Tang, W. G. / Shen, S. C. et al. | British Library Online Contents | 1994


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    Xiaojian Chen / Jun Liu / Junxian Wang | IEEE | 1996