Es wird von der Entwicklung eines rauscharmen monolithischen W-Band-Verstärkers mit planparallelem Wellenleiter berichtet, der einen pseudomorphen AlGaAs/InGaAs/GaAs-HEMT verwendet. Der Verstärker weist bei einer Verstärkung von 12 dB zwischen 92 und 96 GHz eine Rauschzahl von 4,2 - 4,8 dB auf. Die Schaltung wurde mit einem W-Band-Rauschzahl-Meßsystem auf dem Wafer getestet. Die ermutigenden Ergebnisse weisen auf eine vielversprechende Zukunft für den Einsatz dieser Wellenleiterstrukturen in MMICs.
W-band monolithic pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT CBCPW LNA
Rauscharmer monolithischer W-Band-CBCPw-Verstärker mit pseudomorphem AlGaAs/InGaAs/GaAs-HEMT
Electronics Letters ; 29 , 20 ; 1804-1805
1993
2 Seiten, 2 Bilder, 8 Quellen
Article (Journal)
English
Quasi-Monolithic Ka-Band VCOs Using Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMTs
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|A family of InGaAs/AlGaAs V-band monolithic HEMT LNAs
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|Optical and Transport Properties of -Doped Pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs Structures
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