Zur Simulation des Korrosionsverhaltens des SiC-Hitzeschildes von Raumfähren beim Wiedereintritt in die Erdatmosphäre wurden an einem speziell dafür entwickelten Prüfstand Oxydationstests an 2 mm dicken alpha-SiC-Proben durchgeführt, die mit einer durch CVP aufgebrachten beta-SiC-Schicht von 20 Mikrometer Dicke versehen waren. Ziel war die Untersuchung des Oxydationsverhaltens im sogenannten Übergangsbereich zwischen passiver und aktiver Oxydation, d.h. bei mittleren Drücken und hoher Temperatur. Die thermische Belastung durch Laserbeschuß wurde zwischen 1200 und 1650 Cel variiert und dabei die Masseveränderung der Proben bei Kontakt mit verschiedenen vorbeiströmenden Atmosphärengemischen (molekularer Sauerstoff, schwach dissoziierter Sauerstoff, atomarer Sauerstoff, Ozon) im mittleren Druckbereich (1 kPa) registriert. Anschließend wurden durch Röntgenbeugung die entstandenen Oxydationsschichten analysiert. Aus den Meßergebnissen wurden Aussagen zur Oxydationskinetik und den sie beeinflussenden Faktoren abgeleitet. (Mitreuter)
High-temperature oxidation of silicon carbide in simulated atmospheric re-entry conditions
Hochtemperaturoxydation von Siliziumkarbid unter den simulierten Bedingungen des Wiedereintritts in die Erdatmosphäre
Journal of Materials Science ; 27 , 12 ; 3206-3210
1992
5 Seiten, 7 Bilder, 11 Quellen
Article (Journal)
English
High Temperature Oxidation of Silicon Carbide Under Pure CO~2 (Martian Atmospheric Entry)
British Library Conference Proceedings | 1998
|Simulated Atmospheric Entry Ablation in Superorbital Flows
British Library Conference Proceedings | 2000
|High Temperature Oxidation Behavior of Self-Bonded Silicon Carbide
British Library Online Contents | 1999
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