Zur Simulation des Korrosionsverhaltens des SiC-Hitzeschildes von Raumfähren beim Wiedereintritt in die Erdatmosphäre wurden an einem speziell dafür entwickelten Prüfstand Oxydationstests an 2 mm dicken alpha-SiC-Proben durchgeführt, die mit einer durch CVP aufgebrachten beta-SiC-Schicht von 20 Mikrometer Dicke versehen waren. Ziel war die Untersuchung des Oxydationsverhaltens im sogenannten Übergangsbereich zwischen passiver und aktiver Oxydation, d.h. bei mittleren Drücken und hoher Temperatur. Die thermische Belastung durch Laserbeschuß wurde zwischen 1200 und 1650 Cel variiert und dabei die Masseveränderung der Proben bei Kontakt mit verschiedenen vorbeiströmenden Atmosphärengemischen (molekularer Sauerstoff, schwach dissoziierter Sauerstoff, atomarer Sauerstoff, Ozon) im mittleren Druckbereich (1 kPa) registriert. Anschließend wurden durch Röntgenbeugung die entstandenen Oxydationsschichten analysiert. Aus den Meßergebnissen wurden Aussagen zur Oxydationskinetik und den sie beeinflussenden Faktoren abgeleitet. (Mitreuter)


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    Title :

    High-temperature oxidation of silicon carbide in simulated atmospheric re-entry conditions


    Additional title:

    Hochtemperaturoxydation von Siliziumkarbid unter den simulierten Bedingungen des Wiedereintritts in die Erdatmosphäre


    Contributors:
    Berton, B. (author) / Bacos, M.P. (author) / Demange, D. (author) / Lahaye, J. (author)

    Published in:

    Journal of Materials Science ; 27 , 12 ; 3206-3210


    Publication date :

    1992


    Size :

    5 Seiten, 7 Bilder, 11 Quellen




    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    English




    High Temperature Oxidation of Silicon Carbide Under Pure CO~2 (Martian Atmospheric Entry)

    Balat, M. et al. | British Library Conference Proceedings | 1998


    Simulated Atmospheric Entry Ablation in Superorbital Flows

    Hunt, D. C. / Morgan, R. G. / AIAA | British Library Conference Proceedings | 2000




    High Temperature Oxidation Behavior of Self-Bonded Silicon Carbide

    Qingwei, H. / Jiqing, G. / Zhihao, J. | British Library Online Contents | 1999