Mitsubishi Electric präsentiert ein neues T-PM-Modul. Direct-Lead-Bonds (DLB) ersetzen hier die konventionellen Bond-Drähte, außerdem kommt eine neuentwickelte wärmeleitende Isolationsschicht (TCIL) zum Einsatz. Das Resultat sind eine mehr als zehnfache Lastwechselfestigkeit bei einem Temperaturwechsel von 100 K, ein kleinerer thermischer Widerstand und eine gleichförmigere Temperatur- und Stromverteilung über die Chip-Oberfläche. Bei ihren Transfer-Mold-Power-Modulen ( T-PM) setzt Mitsubishi Electric drei Technologien ein, die sich von konventionellen Leistungshalbleitermodulen mit Weichverguss unterscheiden: a) das Transfer-Mold-Gehause; b) die Chips sind direkt mittels bleifreiem Lot auf einen Kupfer-Warmespreizer aufgelotet und c) die Isolation erfolgt mittels einer dem Warmespreizer nachgeordneten TCIL-Schicht. Diese Konstruktion erreicht bereits eine hohe Zuverlässigkeit und sehr gute Warmeableitung. Zudem lassen sich mehrere, komplett getestete T-PMs zu größeren Funktionseinheiten in einem gemeinsamen Modulgehäuse zusammenfassen. Eine neue Generation der T-PM soll den Applikations-Anforderungen nach hoher Leistung und hoher Zuverlässigkeit noch besser gerecht werden.
Kleines Kraftpaket. Kompaktes und robustes T-PM-Leistungshalbleitermodul
Compact and robust T-PM powermodul
Elektronik Journal ; 47 , 2 ; 14-16
2012
3 Seiten, 6 Bilder
Article (Journal)
German
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