Embedded power converter used in ground applications and aeronautics must ensure rigorous reliability specifications for human safety reasons as well as economical reasons. This paper concerns a work aiming for reliability quantification of power semiconductor devices, which are strategic parts of power converter. Using traditional and innovating characterization methods, the paper will focus on the devices gate oxide evolution. This evolution may provide operating age indicators.
Etude de l'evolution de l'oxyde de grille des composants de puissance
Untersuchungen der Alterungsvorgänge an Oxidschichten auf metallischen Elektroden in IGBT-Leistungstransistoren
Revue de l'Electricite et de l'Electronique - REE ; 6/7 ; 85-88
2009
4 Seiten, 5 Bilder, 6 Quellen
Article (Journal)
French
Luftfahrttechnik , Flugzeugelektronik , Leistungselektronik , Leistungshalbleiterschalter , Spannungswandler , Siliciumsubstrat , Metalloxidhalbleiter , Elektrodenanordnung , Oxidschicht , Zuverlässigkeit von Bauelementen , Standzeit , IGBT (insulated gate bipolar transistor) , Kapazitäts-Spannungs-Kennlinie , Sicherheitsfaktor , Gate (FET) , Temperaturwechselprüfung , Temperaturverhalten , Messen thermischer Größen , thermische Belastung , Ausfallsicherheit
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