Der Anteil der Automobilelektronik am Halbleitermarkt ist mit acht Prozent noch gering, mit einer Steigerungsrate von 250 % (an Wert) innerhalb der letzten acht Jahre jedoch sehr wachstumsstark. Bei Infineon reagiert man auf diese Entwicklung mit einem Produktportfolio speziell für die Automobiltechnik eintwickelter Leistungshalbleiter. MOSFETs für Wechselrichter sowie Smart-Power-ICs, Smart-Power-Schalter und IGBTs für intelligente Zündanlagen gehören dazu. Der aktuelle Entwicklungsstand, die Anforderungen und einige neue Produkte werden vorgestellt. Bei den Standard-MOSFETs konzentriert man sich auf die weitere Reduzierung des Einschaltwiderstandes, bei den Mischformen stehen eine Vervielfachung der Logikfähigkeit um den Faktor 10 und die Verlagerung von Logikfunktionen auf den Smart-Power-Chip zur Entlastung des Controllers im Mittelpunkt. Neben monolithischen Aufbauten werden auch Chip-on-Chip (COC) und Chip-by-Chip (CBC)-Aufbauverfahren verwendet, wobei die monolithischen und CoC-Produkte einen geringeren Platzbedarf aufweisen, während CbC-Produkte Spitzenströme bis 1000 A bewältigen. Eine enge Zusammenarbeit mit den Systemherstellern soll die Optimierung dieser Produkte ermöglichen. Konkret entwickelt wurden unter anderem für den Wechselrichter der Servolenkung MOSFETs und ein Brückentreiber im PDSO-36-Leistungsgehäuse, der eine besonders geringe EMV-Abstrahlung aufweist, smarte Zünd-IGBTs mit eingebauter Diagnose und mikrocontroller-kompatibler Schnittstelle in einem SMD-Standardgehäuse, sowie eine neue Generation von Leistungs-MOSFETs mit minimalem Einschaltwiderstand, maximaler Robustheit, besserem Schaltverhalten sowie deutlicher Verringerung von Kanalwiderstand und thermischem Widerstand.
Starke Ströme im Griff. Leistungshalbleiter für die moderne Automobilelektronik
Elektronik, Poing ; 49 , Sonderheft Elektronik Automotive ; 56-58
2000
3 Seiten, 3 Bilder
Article (Journal)
German
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