Es wird ueber einige Prototypen bipolarer Siliziumschaltkreise berichtet, die ausgezeichnete Betriebseigenschaften fuer Radaranwendungszwecke im S-Band aufweisen und auch in Schaltkreise fuer elektronische Stoermassnahmen (ECM-Anwendung) eingesetzt werden koennen.
A high performance S-Band radar transistor
Ein S-Band-Radar-Transistor mit ausgezeichneten Betriebseigenschaften
Microwave Journal ; 24 , 3 ; 63-66
1981
3 Seiten, 6 Bilder, 2 Quellen
Article (Journal)
English
Online Contents | 1995
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