Es wird ueber einige Prototypen bipolarer Siliziumschaltkreise berichtet, die ausgezeichnete Betriebseigenschaften fuer Radaranwendungszwecke im S-Band aufweisen und auch in Schaltkreise fuer elektronische Stoermassnahmen (ECM-Anwendung) eingesetzt werden koennen.


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    Title :

    A high performance S-Band radar transistor


    Additional title:

    Ein S-Band-Radar-Transistor mit ausgezeichneten Betriebseigenschaften


    Contributors:

    Published in:

    Microwave Journal ; 24 , 3 ; 63-66


    Publication date :

    1981


    Size :

    3 Seiten, 6 Bilder, 2 Quellen


    Type of media :

    Article (Journal)


    Type of material :

    Print


    Language :

    English





    GaN Devices for High-Efficiency High Power X-Band Radar Performance

    Stacey, William / Lamarre, Phillip / Murguia, J. et al. | AIAA | 2004




    S-Band Radar

    Bucci | Online Contents | 1995