In den letzten Jahren gelang die Verstaerkung von Mikrowellen jenseits des Ku-Bandes mit Hilfe von GaAs-Impattdioden und GaAs-Feldeffekttransistoren. Diese Entwicklung wurde durch eine Material-Technologie unterstuetzt, mit der es moeglich ist, reproduzierbare Materialparameter fuer die Bauteilherstellung zu erhalten. Vf. gibt einen Ueberblick ueber die Material-Technologie bei Texas Instruments. Anschliessend werden zwei 4 Watt-Mikrowellenschaltungen vorgestellt, die bei 15 GHz bzw. 9,5 GHz einzusetzen sind.


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    Title :

    Status of GaAs technology and applications to high power, high gain microstrip amplifiers using FETs and Impatt diodes


    Additional title:

    Stand der GaAs-Technologie und die Anwendungen als Mikrostreifenverstaerker mit hoher Leistung und Verstaerkung mit Verwendung von FETs und Impattdioden


    Contributors:


    Publication date :

    1979


    Size :

    12 Seiten, 13 Bilder, 12 Quellen


    Type of media :

    Conference paper


    Type of material :

    Print


    Language :

    English




    Second Harmonic Power Generation from GaAs-Impatt Diodes at 210 GHz

    Boehm, H. / Freyer, J. / Claassen, M. et al. | British Library Online Contents | 1998



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