A semiconductor unit provided between a motor and an inverter circuit that controls the motor. The semiconductor unit includes a transistor and a control unit. The transistor: is provided between the inverter circuit and a positive electrode of a battery that supplies power to the inverter circuit; and controls the supply of power from the battery to the inverter circuit. The control unit is connected to a control terminal on the transistor and controls a control voltage being the voltage applied to the control terminal. The control unit controls the control voltage so as to cause intermittent operation of the transistor, when power supply from the battery to the inverter circuit is started, and reduces the control voltage applied to the transistor control terminal to less than the control voltage when the transistor is fully on.
L'invention concerne une unité à semi-conducteur qui est disposée entre un moteur et un circuit onduleur qui commande le moteur. L'unité à semi-conducteur comprend un transistor et une unité de commande. Le transistor : est disposé entre le circuit onduleur et une électrode positive d'une batterie qui fournit de l'énergie au circuit onduleur ; et commande la fourniture d'énergie de la batterie au circuit onduleur. L'unité de commande est connectée à une borne de commande sur le transistor et commande une tension de commande qui est la tension appliquée à la borne de commande. L'unité de commande commande la tension de commande de manière à provoquer un fonctionnement intermittent du transistor, quand la fourniture d'énergie de la batterie au circuit onduleur est démarrée, et réduit la tension de commande appliquée à la borne de commande du transistor à une valeur inférieure à la tension de commande quand le transistor est complètement passant.
半導体ユニットは、モータとモータを制御するインバータ回路との間に設けられる。半導体ユニットはトランジスタと制御部とを含む。トランジスタは、インバータ回路に電力を供給するバッテリの正極とインバータ回路との間に設けられ、前記バッテリから前記インバータ回路への電力の供給を制御する。制御部は、トランジスタの制御端子に接続され、前記制御端子に印加される電圧である制御電圧を制御する。制御部は、バッテリからインバータ回路への電力供給開始時において、トランジスタを間欠動作させるように制御電圧を制御し、かつ、トランジスタの制御端子に印加される制御電圧を、トランジスタがフルオンするときの制御電圧よりも低くする。
SEMICONDUCTOR UNIT, BATTERY UNIT, AND VEHICLE
UNITÉ À SEMI-CONDUCTEUR, UNITÉ DE BATTERIE ET VÉHICULE
半導体ユニット、バッテリユニット、及び車両
2020-05-07
Patent
Electronic Resource
Japanese
IPC: | H02H EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS , Schutzschaltungsanordnungen / B60L PROPULSION OF ELECTRICALLY-PROPELLED VEHICLES , Antrieb von elektrisch angetriebenen Fahrzeugen / H02J CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER , Schaltungsanordnungen oder Systeme für die Abgabe oder Verteilung elektrischer Leistung / H02M APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS , Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen / H03K PULSE TECHNIQUE , Impulstechnik |
SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MODULE, RELAY UNIT, BATTERY UNIT, AND VEHICLE
European Patent Office | 2020
|Semiconductor device, semiconductor module, relay unit, battery unit, and vehicle
European Patent Office | 2023
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