Signal integrity in high-speed applications is dependent on both the underlying device performance and electronic packaging methods. The maturity of chip-on-board (COB) packaging technology using wire bonding makes it a cost beneficial option for the mass production of high-speed optical transceivers. However, wire bonding introduces parasitic inductance associated with the length of the bond wires that limits the scalability of the system for higher data throughput. A high-speed optical transceiver package according to a first proposed configuration minimizes packaging related parasitic inductance by vertically integrating components using flip-chip bonding. A high-speed optical transceiver package according to a second proposed configuration minimizes packaging related parasitic inductance with horizontal tiling of components using a chip carrier and flip-chip bonding.
L'intégrité de signal dans des applications à grande vitesse dépend à la fois de la performance sous-jacente du dispositif et des procédés de mise en boîtier électronique. La maturité de la technologie de mise en boîtier puce-sur-carte (chip-on-board / COB) à l'aide d'une liaison filaire est une option qui permet de réduire les coûts pour la production en masse d'émetteurs-récepteurs optiques à grande vitesse. Cependant, la liaison filaire est à l'origine d'une inductance parasite associée à la longueur des fils de liaison qui limite l'extensibilité du système à un débit de données supérieur. Un boîtier d'émetteur-récepteur optique à grande vitesse selon une première configuration proposée permet de réduire à un minimum l'inductance parasite liée à la mise en boîtier par intégration verticale de composants à l'aide d'une liaison à puce retournée. Un boîtier d'émetteur-récepteur optique à grande vitesse selon une seconde configuration proposée permet de réduire à un minimum l'inductance parasite liée au à la mise en boîtier avec un pavage horizontal de composants à l'aide d'un support de puce et d'une liaison à puce retournée.
INTEGRATION OF SILICON PHOTONICS IC FOR HIGH DATA RATE
INTÉGRATION D'UN CIRCUIT INTÉGRÉ PHOTONIQUE SUR SILICIUM POUR DÉBIT DE DONNÉES ÉLEVÉ
2018-10-18
Patent
Electronic Resource
English
Hybrid integration for silicon photonics applications
British Library Online Contents | 2012
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