FIELD: image forming devices.SUBSTANCE: solid-state imaging device includes a plurality of pixels, including a photoelectric conversion assembly, a first holding portion holding charges carried from the photoelectric conversion assembly, a second holding portion retaining charges carried from the first holding portion and an amplifying assembly outputting the charge based on charges in the second holding portion. Photoelectric conversion assembly includes a first conductivity type semiconductor region, a second semiconductor region of a second conductivity type, a third semiconductor region of a first conductivity type thereunder and a fourth semiconductor region of a second conductivity type thereunder. First holding portion includes a fifth semiconductor region of a second conductivity type and a sixth semiconductor region of a first conductivity type therein at a depth of providing a third semiconductor region, and wherein the semiconductor region having a lower potential than each of the third semiconductor region and the sixth semiconductor region is provided between the third and sixth semiconductor regions.EFFECT: invention discloses a solid-state imaging device, an imaging system and a movable object.17 cl, 12 dwg

    Твердотельное устройство формирования изображений включает в себя множество пикселей, включающих в себя узел фотоэлектрического преобразования, первый удерживающий участок, удерживающий заряды, переносимые из узла фотоэлектрического преобразования, второй удерживающий участок, удерживающий заряды, переносимые из первого удерживающего участка, и усилительный узел, выводящий сигнал на основе зарядов во втором удерживающем участке. Узел фотоэлектрического преобразования включает в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости, вторую полупроводниковую область второго типа проводимости под ней, третью полупроводниковую область первого типа проводимости под ней и четвертую полупроводниковую область второго типа проводимости под ней. При этом первый удерживающий участок включает в себя пятую полупроводниковую область второго типа проводимости и шестую полупроводниковую область первого типа проводимости под ней на глубине обеспечения третьей полупроводниковой области, и при этом полупроводниковая область, имеющая более низкий потенциал, чем каждая из третьей полупроводниковой области и шестой полупроводниковой области, обеспечена между третьей и шестой полупроводниковыми областями. 6 н. и 11 з.п. ф-лы, 12 ил.


    Access

    Download


    Export, share and cite



    Title :

    SOLID-STATE IMAGING DEVICE, IMAGING SYSTEM AND MOVABLE OBJECT


    Additional title:

    Твердотельное устройство формирования изображений, система формирования изображений и перемещаемый объект


    Contributors:

    Publication date :

    2019-05-23


    Type of media :

    Patent


    Type of material :

    Electronic Resource


    Language :

    Russian


    Classification :

    IPC:    H01L Halbleiterbauelemente , SEMICONDUCTOR DEVICES / B60W CONJOINT CONTROL OF VEHICLE SUB-UNITS OF DIFFERENT TYPE OR DIFFERENT FUNCTION , Gemeinsame Steuerung oder Regelung von Fahrzeug-Unteraggregaten verschiedenen Typs oder verschiedener Funktion



    Solid-state imaging device, imaging system, and movable object

    IKEDA HAJIME / KOBAYASHI MASAHIRO | European Patent Office | 2019

    Free access

    SOLID-STATE IMAGING DEVICE, IMAGING SYSTEM, AND MOVABLE OBJECT

    IKEDA HAJIME / KOBAYASHI MASAHIRO | European Patent Office | 2018

    Free access



    IMAGING SYSTEM FOR IMAGING MOVABLE OBJECT

    TAKAHASHI JUN / NAKANO EIJI / IKEDA YUKIKO et al. | European Patent Office | 2023

    Free access