FIELD: image forming devices.SUBSTANCE: solid-state imaging device includes a plurality of pixels, including a photoelectric conversion assembly, a first holding portion holding charges carried from the photoelectric conversion assembly, a second holding portion retaining charges carried from the first holding portion and an amplifying assembly outputting the charge based on charges in the second holding portion. Photoelectric conversion assembly includes a first conductivity type semiconductor region, a second semiconductor region of a second conductivity type, a third semiconductor region of a first conductivity type thereunder and a fourth semiconductor region of a second conductivity type thereunder. First holding portion includes a fifth semiconductor region of a second conductivity type and a sixth semiconductor region of a first conductivity type therein at a depth of providing a third semiconductor region, and wherein the semiconductor region having a lower potential than each of the third semiconductor region and the sixth semiconductor region is provided between the third and sixth semiconductor regions.EFFECT: invention discloses a solid-state imaging device, an imaging system and a movable object.17 cl, 12 dwg
Твердотельное устройство формирования изображений включает в себя множество пикселей, включающих в себя узел фотоэлектрического преобразования, первый удерживающий участок, удерживающий заряды, переносимые из узла фотоэлектрического преобразования, второй удерживающий участок, удерживающий заряды, переносимые из первого удерживающего участка, и усилительный узел, выводящий сигнал на основе зарядов во втором удерживающем участке. Узел фотоэлектрического преобразования включает в себя первую полупроводниковую область первого типа проводимости, вторую полупроводниковую область второго типа проводимости под ней, третью полупроводниковую область первого типа проводимости под ней и четвертую полупроводниковую область второго типа проводимости под ней. При этом первый удерживающий участок включает в себя пятую полупроводниковую область второго типа проводимости и шестую полупроводниковую область первого типа проводимости под ней на глубине обеспечения третьей полупроводниковой области, и при этом полупроводниковая область, имеющая более низкий потенциал, чем каждая из третьей полупроводниковой области и шестой полупроводниковой области, обеспечена между третьей и шестой полупроводниковыми областями. 6 н. и 11 з.п. ф-лы, 12 ил.
SOLID-STATE IMAGING DEVICE, IMAGING SYSTEM AND MOVABLE OBJECT
Твердотельное устройство формирования изображений, система формирования изображений и перемещаемый объект
2019-05-23
Patent
Electronic Resource
Russian
Solid-state imaging device, imaging system, and movable object
European Patent Office | 2019
|SOLID-STATE IMAGING DEVICE, IMAGING SYSTEM, AND MOVABLE OBJECT
European Patent Office | 2018
|European Patent Office | 2019
|European Patent Office | 2021
|