본 발명은 SWIR 감지용 유기 포토다이오드, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 SWIR 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 및 제2 전극들 사이의 광전 변환층을 포함한다. 상기 광전 변환층은 순차적으로 적층된 제1 광전 변환층 및 제2 광전 변환층을 포함하고, 상기 제1 광전 변환층은 화학식 1로 표시되는 고분자 및 화학식 2로 표시되는 유기 도펀트를 포함한다.
SWIR SWIR Organic photodiode for detecting SWIR method for manufacturing the same and SWIR sensor including the same
SWIR 감지용 유기 포토다이오드, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 SWIR 센서
2024-12-17
Patent
Electronic Resource
Korean
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